4月12日消息，据韩媒Hankyung报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。

三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。

三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。

▲三星第8代V-NAND闪存

Hankyung称第9代V-NAND闪存的堆叠层数将是290层，不过IT之家早前报道中提到，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，该闪存IO接口速率达到3.2GB/s。

三星在第9代V-NAND上将沿用双闪存堆栈的结构，以实现更简单的工序和更低的制造成本。而在预计明年推出的第10代V-NAND闪存上，三星将换用三堆栈结构。

新的结构将进一步提升3D闪存的最大可能堆叠层数，不过也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性，SK海力士明年量产的321层NAND闪存就将使用这一结构

半导体行业观察机构TechInsights表示三星的第10代V-NAND闪存有望达到430层，进一步提升堆叠方面的优势。